SSD HIKSEMI E1000 512G NVME

Dung lượng: 512GB
Chuẩn kết nối: PCIe Gen 3×4, NVMe
Form Factor: M.2 2280
Tốc độ đọc tuần tự: 2,500MB/s
Tốc độ ghi tuần tự: 1,025MB/s
Đọc ngẫu nhiên 4K (IOPS): 55K
Ghi ngẫu nhiên 4K (IOPS): 225K
Công suất tiêu thụ tối đa: 2.2W
Độ bền (TBW): 120TB
MTBF: 1,500,000 giờ
Công nghệ bộ nhớ: 3D NAND